SiH4 矽甲烷……製程氣體（洩漏有爆炸危險） NH3 氨……製程氣體 N2O 笑氣……製程氣體 PH3 磷化氫……製程氣體 N2 氮氣……製程氣體，常用為破真空Vent或吹乾的媒介 H2 氫氣……製程氣體 NF3 氟化氮……製程氣體，常用為清除CVD反應(yīng)室壁沈積矽Si媒介 Kr 氪氣……製程氣體，用來轟擊濺鍍機上的金屬靶 Ar 氬氣……製程氣體，用來轟擊濺鍍機上的金屬靶或常用為加熱設(shè)備的熱傳媒介 O2 常用來作電漿的基本組成， BCl3 氯化硼……製程氣體，在乾蝕刻中用以作為蝕刻AlNd的電漿源 SF6 氟化硫……製程氣體，常用的主要乾蝕刻電漿源以為提供蝕刻主原料氟的來源 He 氦氣……製程氣體，混合在其它製程氣體中，共同形成電漿源，使電漿組成分佈均勻 Cl2 氯氣……製程氣體 HCl 氯化氫……製程氣體，蝕刻n+時的電漿源之一 CF4 四氟化碳……製程氣體，常用的主要乾蝕刻電漿源以為提供蝕刻主原料氟的來源